Semiconducteurs - Composants discrets

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BFR540
BFR540

1081295

NXP

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Boîtier de transistor

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  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 29 juin 2017
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    BFS17A
    BFS17A

    1081302

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 2.8 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:2.8GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90hFE; Boîtier de transistor

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  • 42 000 sera/seront disponible(s) le 29 juin 2017
  • 12 000 sera/seront disponible(s) le 7 sept. 2017
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    BFM520,115
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    1758050

    NXP

    Transistor simple bipolaire (BJT), Double NPN, 8 V, 9 GHz, 1 W, 70 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN DOUBLE 70MA 8V SOT363; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:8V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Type de boîtier

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    BF862,215
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    1758058

    NXP

    Transistor JFET, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET

    TRANSISTOR JFET NAN 20V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-20V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:10mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:25mA; Tension, Vgs off max..:-1.2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nbre de

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  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 27 mars 2017
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    BF545C,215
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    1758055

    NXP

    Transistor FET RF, 30 V, 13 mA, 250 mW, SOT-23

    TRANSISTOR JFET CANAL N 20V SOT-23; Tension Vds max..:30V; Courant de drain Id:13mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3Broche(s); Te

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    PHD13003C
    PHD13003C

    1859374

    NXP

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 400 V, 2.1 W, 1.5 A, 17 hFE

    Disponible jusqu'à épuisement du stock

    TRANSISTOR DIODE NPN 400V 1.5A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:17hFE; Type de boîtier de trans

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    BF861B,215
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    1758057

    NXP

    Transistor JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

    TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:6mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nbre de

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    BFG21W,115
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    1758043

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 4.5 V, 18 GHz, 600 mW, 500 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR NPN 15V .5A 18GHZ SOT343R; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:18GHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40hFE; Boîtier de transi

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    BFR520
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    1081294

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Boîtier de transistor R

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    BB201,215
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    1757785

    NXP

    Diode à capacité variable, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

    DIODE VARICAP DOUBLE 15V SOT-23; Capacité max. Cd @ Vr F:102pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:15V; Température de fonctionnement max..:125°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Nbre de broches:3 broches; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de pr

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    BAP64-03,115
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    1757790

    NXP

    Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 broches, 0.35 pF

    DIODE PIN 175V 100MA SOD-323; Configuration diode:Une; Résistance @ If:0.7ohm; Tension, claquage Vbr:175V; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nbre de broches:2 broches; Capacité Totale Ct:0.35pF; Courant, If moy.:100mA; Type de packaging:Bande découpée; T

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    BFS17
    BFS17

    1081301

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:1GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90hFE; Boîtier de transistor RF

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  • 8 007 sera/seront disponible(s) le 27 mai 2017
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    BFT93
    BFT93

    1097184

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, PNP, 12 V, 5 GHz, 300 mW, -35 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR PNP RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-35mA; Gain en courant DC hFE:50hFE; Boîtier de transistor R

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  • 3 100 sera/seront disponible(s) le 14 avr. 2017
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    PHE13003A
    PHE13003A

    1859370

    NXP

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 400 V, 2.1 W, 1 A, 7.5 hFE

    Disponible jusqu'à épuisement du stock

    TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:7.5hFE; Type de boîtier de transistor:SO

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    BUJ100LR
    BUJ100LR

    1859369

    NXP

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 400 V, 2.1 W, 1 A, 7.5 hFE

    Disponible jusqu'à épuisement du stock

    TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:7.5hFE; Type de boîtier de transistor:SO

    3 715 En stock

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    BT149D
    BT149D

    1081323

    NXP

    Thyristor, 400 V, 200 µA, 0.5 A, 0.8 A, TO-92, 3 Broche(s)

    Disponible jusqu'à épuisement du stock

    THYRISTOR 0.8A 400V TO-92; Tension Vdrm:400V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:200µA; Courant, It moy:0.5A; Courant, It efficace:0.8A; Type de boîtier de Thyristor:TO-92; Nombre de broches:3Broche(s); Courant Itsm (50Hz):8A; Courant max. - Tenu

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    Z0107MN,135
    Z0107MN,135

    1757889

    NXP

    Triac, 600 V, 1 A, SOT-223, 5 mA, 1.3 V, 2 W

    Disponible jusqu'à épuisement du stock

    TRIAC 600V 1A SOT-223; Tension Vdrm:600V; Courant, It efficace:1A; Type de boîtier de Triac:SOT-223; Courant Max de déclenchement de Gate (QI), Igt:5mA; Tension, Vgt:1.3V; Pic de Puissance Pgm de porte logique:2W; Courant Itsm (50Hz):8.5A; Courant max. -

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    BAP70-02,115
    BAP70-02,115

    1757793

    NXP

    Diode PIN / RF, Une, 1.4 ohm, 50 V, SOD-523, 2 broches, 0.25 pF

    DIODE PIN 50V 100MA SOD-523; Configuration diode:Une; Résistance @ If:1.4ohm; Tension, claquage Vbr:50V; Type de boîtier de diode:SOD-523; Nbre de broches:2 broches; Capacité Totale Ct:0.25pF; Courant, If moy.:100mA; Type de packaging:Bande découpée; Tem

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    PHE13003C
    PHE13003C

    1859373

    NXP

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 400 V, 2.1 W, 1.5 A, 17 hFE

    Disponible jusqu'à épuisement du stock

    TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:17hFE; Type de boîtier de transistor:

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    Z0107NA
    Z0107NA

    2074998

    NXP

    Triac, 800 V, 1 A, TO-92, 7 mA, 1.3 V, 2 W

    Disponible jusqu'à épuisement du stock

    TRIAC 4Q 1A 800V TO92; Tension Vdrm:800V; Courant, It efficace:1A; Type de boîtier de Triac:TO-92; Courant Max de déclenchement de Gate (QI), Igt:7mA; Tension, Vgt:1.3V; Pic de Puissance Pgm de porte logique:2W; Courant Itsm (50Hz):8.5A; Courant max. - T

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    Pièce

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    BFS540
    BFS540

    1349660

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Boîtier de transistor RF:SOT

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    1757789

    NXP

    Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-523, 2 broches, 0.35 pF

    DIODE PIN 175V 100MA SOD-523; Configuration diode:Une; Résistance @ If:0.7ohm; Tension, claquage Vbr:175V; Type de boîtier de diode:SOD-523; Nbre de broches:2 broches; Capacité Totale Ct:0.35pF; Courant, If moy.:100mA; Type de packaging:Bande découpée; T

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    1758136

    NXP

    Transistor JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFET

    TRANSISTOR MOSFET P 30V 30MA SOT23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:7mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:70mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nbre de

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    1349657

    NXP

    Transistor FET RF, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B

    TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N RF SOT143; Tension Vds max..:7V; Courant de drain Id:30mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, fonctionnement min.:40MHz; Fréquence, fonctionnement max..:3GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4Bro

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    1081304

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:5V; Fréquence de transition ft:2.3GHz; Dissipation de puissance Pd:30mW; Courant de collecteur DC:6.5mA; Gain en courant DC hFE:40hFE; Boîtier de transistor R

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