Semiconducteurs - Composants discrets

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BFR540
BFR540

1081295

NXP

Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Boîtier de transistor

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  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 26 juin 2017
  • 30 000 sera/seront disponible(s) le 20 juil. 2017
  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 29 juin 2017
  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 15 juil. 2017
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    BFM520,115
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    1758050

    NXP

    Transistor simple bipolaire (BJT), Double NPN, 8 V, 9 GHz, 1 W, 70 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN DOUBLE 70MA 8V SOT363; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:8V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Type de boîtier

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  • 24 000 sera/seront disponible(s) le 10 juin 2017
  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 2 nov. 2017
  • 33 000 sera/seront disponible(s) le 11 nov. 2017
  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 6 juin 2017
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    BF862,215
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    1758058

    NXP

    Transistor JFET, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET

    TRANSISTOR JFET NAN 20V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-20V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:10mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:25mA; Tension, Vgs off max..:-1.2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nbre de

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    BFS17A
    BFS17A

    1081302

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 2.8 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:2.8GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90hFE; Boîtier de transistor

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    BFR520
    BFR520

    1081294

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Boîtier de transistor R

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    BFR93A
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    1081300

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 6 GHz, 300 mW, 35 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR, RF, NPN, 12V,35MA,SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:6GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:90hFE; Boîtier de transisto

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    BF545C,215
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    1758055

    NXP

    Transistor FET RF, 30 V, 13 mA, 250 mW, SOT-23

    TRANSISTOR JFET CANAL N 20V SOT-23; Tension Vds max..:30V; Courant de drain Id:13mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3Broche(s); Te

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    BFT93
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    1097184

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, PNP, 12 V, 5 GHz, 300 mW, -35 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR PNP RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-35mA; Gain en courant DC hFE:50hFE; Boîtier de transistor R

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    BFR31
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    1758134

    NXP

    Transistor JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET

    TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23 0.005A; Tension, claquage Vbr:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:5mA; Tension, Vgs off max..:-2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nbre de

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    BB201,215
    BB201,215

    1757785

    NXP

    Diode à capacité variable, Varicap, 102 pF, 20 mA, 15 V, 125 °C, SOT-23, 3 broches

    DIODE VARICAP DOUBLE 15V SOT-23; Capacité max. Cd @ Vr F:102pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:15V; Température de fonctionnement max..:125°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Nbre de broches:3 broches; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de pr

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    PMBFJ109,215
    PMBFJ109,215

    1758060

    NXP

    Transistor JFET, Canal N, -25 V, 40 mA, -2 V, SOT-23

    TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:40mA; Tension, Vgs off max..:-2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:-; Nbre de broches

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    1758060RL en Mise en bobine

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    BFS540
    BFS540

    1349660

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Boîtier de transistor RF:SOT

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  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 21 sept. 2017
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 27/11/17

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    1349660RL en Mise en bobine

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    BAP64-03,115
    BAP64-03,115

    1757790

    NXP

    Diode PIN / RF, Une, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 broches, 0.35 pF

    DIODE PIN 175V 100MA SOD-323; Configuration diode:Une; Résistance @ If:0.7ohm; Tension, claquage Vbr:175V; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nbre de broches:2 broches; Capacité Totale Ct:0.35pF; Courant, If moy.:100mA; Type de packaging:Bande découpée; T

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  • 400 sera/seront disponible(s) le 29 mai 2017
  • Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 18/09/17

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    1757790RL en Mise en bobine

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    1+ 0,253 € 25+ 0,233 € 100+ 0,124 € Plus...

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    BAP65-03,115
    BAP65-03,115

    1757792

    NXP

    Diode PIN / RF, Une, 0.35 ohm, 30 V, SOD-323, 2 broches, 0.375 pF

    DIODE PIN 30V 100MA SOD-323; Configuration diode:Une; Résistance @ If:0.35ohm; Tension, claquage Vbr:30V; Type de boîtier de diode:SOD-323; Nbre de broches:2 broches; Capacité Totale Ct:0.375pF; Courant, If moy.:100mA; Type de packaging:Bande découpée; T

    2 990 En stock

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    1757792RL en Mise en bobine

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    BFR106
    BFR106

    1081293

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE

    TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80hFE; Boîtier de transistor R

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    BFT92
    BFT92

    1349662

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, PNP, 15 V, 5 GHz, 300 mW, -25 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR PNP 5GHZ SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-25mA; Gain en courant DC hFE:50hFE; Boîtier de transistor RF:SOT-2

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  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 19 juin 2017
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    1349662RL en Mise en bobine

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    BFS17
    BFS17

    1081301

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE

    TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:1GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90hFE; Boîtier de transistor RF

    6 626 En stock

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  • 21 000 sera/seront disponible(s) le 29 juin 2017
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 10 août 2017
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 14 oct. 2017
  • 12 000 sera/seront disponible(s) le 15 oct. 2017
  • 3 000 sera/seront disponible(s) le 12 oct. 2017
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    5+ 0,112 € 30+ 0,106 € 100+ 0,0802 € Plus...

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    BFG425W,115
    BFG425W,115

    1758047

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 25 mA, 80 hFE

    TRANSISTOR NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:135mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:80hFE; Boîtier de transisto

    1 630 En stock

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    1758047RL en Mise en bobine

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    1758051

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 5 V, 5 GHz, 32 mW, 6.5 mA, 80 hFE

    TRANSISTOR NPN 5V 5GHZ SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:5V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:32mW; Courant de collecteur DC:6.5mA; Gain en courant DC hFE:80hFE; Boîtier de transistor RF:SOT

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    BCP54-10
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    8734828

    NXP

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

    TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63hFE; Type de boîtier de transist

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    BFG540W/X
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    1349659

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 15 V, 9 GHz, 500 mW, 120 mA, 120 hFE

    TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120hFE; Boîtier de transistor RF:SOT

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    1758045

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE

    TRANSISTOR NPN 10V 150MA SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:18V; Fréquence de transition ft:4GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:70hFE; Boîtier de transistor RF:SO

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    BF991
    BF991

    1349658

    NXP

    Transistor FET RF, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B

    TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N RF SOT143; Tension Vds max..:20V; Courant de drain Id:20mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4Broche(s)

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    BLT81,115
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    1212471

    NXP

    Transistor RF - Bipolaire, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE

    TRANSISTOR NPN RF SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:9.5V; Fréquence de transition ft:900MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25hFE; Boîtier de transistor RF:SOT-2

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    BAT18
    BAT18

    1081188

    NXP

    Diode signaux faibles, Une, 35 V, 100 mA, 1.2 V

    DIODE BAND SWITCHING; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:-; Courant, Ifs max.:-; Température de fonctionnement max..:125°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Nombre de broches:3Broche

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    1081188RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

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