Semiconducteurs - Composants discrets

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MBR0540T1G
MBR0540T1G

9556923

ON SEMICONDUCTOR

Redresseur Schottky, 40 V, 500 mA, Une, SOD-123, 2 Broche(s), 510 mV

DIODE SCHOTTKY 0.5A 40V; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Configuration diode:Une; Type de boîtier de diode:SOD-123; Nombre de broches:2Broche(s); Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement max..:150°C; Type

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9556923RL en Mise en bobine
2317654 en Bobine

Pièce (fournie en bande découpée)

1+ 0,254 € 80+ 0,10 € 250+ 0,0918 € Plus...

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1N5339BG
1N5339BG

9557962

ON SEMICONDUCTOR

Diode simple Zener, 5.6 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 Broche(s), 200 °C

DIODE ZENER 5W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de diode:017AA; Tolérance Zener ±:5%; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:200°C; Type de packaging:Pièce; Gamme de produit:1N53 Series; N

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Pièce

1+ 0,377 € 25+ 0,358 € 100+ 0,183 € Plus...

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BAS16LT3G
BAS16LT3G

2317451

ON SEMICONDUCTOR

Diode signaux faibles, Une, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA

DIODE FAIBLE SIGNAL 75V SOT-23-3; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:75V; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Nombre

48 003 En stock

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    Pièce

    1+ 0,0995 € 25+ 0,0932 € 100+ 0,0362 € Plus...

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    MBR0540T3G
    MBR0540T3G

    2101839

    ON SEMICONDUCTOR

    Redresseur Schottky, 40 V, 500 mA, Une, SOD-123, 2 Broche(s), 620 mV

    RESEAU DE DIODE 40V 0.5A SOD123; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Configuration diode:Une; Type de boîtier de diode:SOD-123; Nombre de broches:2Broche(s); Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement max..:150°

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    Pièce

    1+ 0,222 € 25+ 0,201 € 100+ 0,0994 € Plus...

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    MBRS140T3G
    MBRS140T3G

    9557237

    ON SEMICONDUCTOR

    Redresseur Schottky, 40 V, 1 A, Une, DO-214AA, 2 Broche(s), 600 mV

    DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Configuration diode:Une; Type de boîtier de diode:DO-214AA; Nombre de broches:2Broche(s); Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement max..:125°C; Type de pa

    38 926 En stock

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    9557237RL en Mise en bobine
    2317683 en Bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,324 € 70+ 0,144 € 200+ 0,133 € Plus...

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    MBR130T1G
    MBR130T1G

    1431045

    ON SEMICONDUCTOR

    Redresseur Schottky, 30 V, 1 A, Une, SOD-123, 2 Broche(s), 450 mV

    DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOD-123; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Configuration diode:Une; Type de boîtier de diode:SOD-123; Nombre de broches:2Broche(s); Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement max..:125°C; Ty

    36 624 En stock

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    1431045RL en Mise en bobine
    2336848 en Bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,298 € 80+ 0,129 € 250+ 0,12 € Plus...

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    BC846BLT3G
    BC846BLT3G

    2533304

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 65 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200hFE; Type de boîtier

    34 349 En stock

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    2533304RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,0583 € 10+ 0,0462 € 100+ 0,0369 € Plus...

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    MBR2H200SFT1G
    MBR2H200SFT1G

    2452032

    ON SEMICONDUCTOR

    Redresseur Schottky, 200 V, 2 A, Une, SOD-123FL, 2 Broche(s), 940 mV

    REC SOD123 2A 200V; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Configuration diode:Une; Type de boîtier de diode:SOD-123FL; Nombre de broches:2Broche(s); Tension, Vf max..:940mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de pac

    31 275 En stock

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  • 9 000 sera/seront disponible(s) le 8 juil. 2017
  • 18 000 sera/seront disponible(s) le 22 juil. 2017
  • 6 000 sera/seront disponible(s) le 6 sept. 2017
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    2452032RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,26 € 25+ 0,226 € 100+ 0,118 € Plus...

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    MMBT3906LT3G
    MMBT3906LT3G

    2630346

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 30 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30hFE; Type de boîti

    27 771 En stock

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    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,0828 € 10+ 0,0736 € 100+ 0,0264 € Plus...

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    1SMB5921BT3G
    1SMB5921BT3G

    1431164

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode simple Zener, À usage général, 6.8 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 Broche(s), 150 °C

    DIODE ZENER 3W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de diode:DO-214AA; Tolérance Zener ±:5%; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de produit:1S

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    1431164RL en Mise en bobine
    2440671 en Bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,342 € 70+ 0,149 € 200+ 0,137 € Plus...

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    MMBT4403LT3G
    MMBT4403LT3G

    2533332

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), AEC-Q101, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:20hFE; Type de boîtier de tran

    26 097 En stock

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    Suggestion de remplacement pour :2533332
    2533332RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,0525 € 10+ 0,04 € 100+ 0,0309 € Plus...

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    BAW56LT3G
    BAW56LT3G

    2535688

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode signaux faibles, AEC-Q101, Double anode commune, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A

    DIODE DE COMMUTATION 70V, 0.2A, SOT-23; Configuration diode:Double anode commune; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de

    26 627 En stock

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    Suggestion de remplacement pour :2535688
    2535688RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,108 € 10+ 0,0961 € 100+ 0,033 € Plus...

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    MMBT4401LT3G
    MMBT4401LT3G

    2317550

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 hFE

    TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:20hFE; Type de boîtier de t

    25 273 En stock

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    Pièce

    1+ 0,0835 € 25+ 0,0705 € 100+ 0,034 € Plus...

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    1SMB5929BT3G
    1SMB5929BT3G

    1459014

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode simple Zener, À usage général, 15 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 Broche(s), 150 °C

    DIODE, ZENER, 15V, 3W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de diode:DO-214AA; Tolérance Zener ±:5%; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de produit:1

    24 215 En stock

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    24 215 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 21/08/17

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    Suggestion de remplacement pour :1459014
    1459014RL en Mise en bobine
    2440678 en Bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,342 € 70+ 0,147 € 200+ 0,137 € Plus...

    Commander
    1SMB5919BT3G
    1SMB5919BT3G

    1431162

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode simple Zener, À usage général, 5.6 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 Broche(s), 150 °C

    DIODE ZENER 3W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de diode:DO-214AA; Tolérance Zener ±:5%; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de produit:1S

    23 688 En stock

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    23 688 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (Liege stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 11/09/17

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    Suggestion de remplacement pour :1431162
    1431162RL en Mise en bobine
    2336857 en Bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,33 € 70+ 0,145 € 200+ 0,135 € Plus...

    Commander
    BC856BM3T5G
    BC856BM3T5G

    2533313

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, -65 V, 100 MHz, 265 mW, -100 mA, 220 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, SOT-723-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:265mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220hFE; Type de boî

    24 081 En stock

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    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 15/05/17

    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2533313
    2533313RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,123 € 10+ 0,0925 € 100+ 0,0657 € Plus...

    Commander
    MMBT2907ALT3G
    MMBT2907ALT3G

    2533328

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), AEC-Q101, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50hFE; Type de boîtier de tran

    22 770 En stock

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    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 05/06/17

    Options de conditionnement
    Suggestion de remplacement pour :2533328
    2533328RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,0525 € 10+ 0,04 € 100+ 0,0309 € Plus...

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    NTJD5121NT1G
    NTJD5121NT1G

    2317611

    ON SEMICONDUCTOR

    MOSFET double, Double canal N, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V

    MOSFET CANAL N 60V 304MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:304mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:266mW; Type de boîtier de t

    10 090 En stock

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    10 090 en stock pour une livraison le jour ouvrable suivant (UK stock): 00 h (17:30 h pour les articles mis en bobine) Lundi - Vendredi. (sauf jours fériés)

    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 31/07/17

    Pièce

    1+ 0,207 € 25+ 0,174 € 100+ 0,0847 € Plus...

    Commander
    MMBT2222ALT3G
    MMBT2222ALT3G

    2627984

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR NPN 40V 0.25W SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:40hFE; Type de boîtier de tra

    20 540 En stock

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    Une plus grande quantité sera disponible en stock à partir de la semaine débutant le 29/05/17

    Pièce (fournie en bande découpée)

    1+ 0,0956 € 10+ 0,0836 € 100+ 0,0239 €

    Commander
    MMSZ3V0T1G
    MMSZ3V0T1G

    2535683

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode simple Zener, AEC-Q101, 3 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Broche(s), 150 °C

    DIODE ZENER, 3V, SOD-123; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de diode:SOD-123; Tolérance Zener ±:5%; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de produ

    20 614 En stock

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    MJD44H11G
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    9557806

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), Audio, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

    TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:85MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60hFE; Type de boîtier de transistor:TO-252; N

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    BC817-40LT3G
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    2533302

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

    TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40hFE; Type de boîtier

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    BZX84C47LT1G.
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    1177302

    ON SEMICONDUCTOR

    ZENER DIODE, 225mW, 47V, SOT-23

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    ZENER DIODE, 225mW, 47V, SOT-23; Zener V; ZENER DIODE, 225mW, 47V, SOT-23; Zener Voltage Vz Typ:47V; Power Dissipation Pd:225mW; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimit

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    MMBD7000LT3G
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    2533391

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode signaux faibles, Série double, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA

    DIODE DE COMMUTATION 100V, 0.2A, SOT-23; Configuration diode:Série double; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement max..:150°C; Type de boîtier de diod

    18 172 En stock

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    Pièce (fournie en bande découpée)

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    MMSZ8V2T1G
    MMSZ8V2T1G

    2463597

    ON SEMICONDUCTOR

    Diode simple Zener, 8.2 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Broche(s), 150 °C

    DIODE, ZENER, 8.2V, 0.5W; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de diode:SOD-123; Tolérance Zener ±:5%; Nombre de broches:2Broche(s); Température de fonctionnement max..:150°C; Type de packaging:Bande découpée; Gamme de pro

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    2463597RL en Mise en bobine

    Pièce (fournie en bande découpée)

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