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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 60V SSSMINI3-F2-B

MOSFET CANAL N 60V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:

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FC6946010R

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N DOUBLE 60V SSMINI6-FE-B

MOSFET CANAL N DOUBLE 60V SSMINI6-FE-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier d

8 621

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2284065
FK3303010L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 30V SSSMINI3-F2-B

MOSFET CANAL N 30V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:SO

2 529

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FC6943010R

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N DOUBLE 30V SSMINI6-F3-B

MOSFET CANAL N DOUBLE 30V SSMINI6-F3-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de

265

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL P 30V SSSMINI3-F2-B

MOSFET CANAL P 30V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-100mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transisto

4 675

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FK8V03020L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini

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MTM761110LBF

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL P 12V WSMINI6-F1-B

MOSFET CANAL P 12V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de tran

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FK8V03030L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini8

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FK8V03060L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1

MOSFET CANAL N 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:WMini

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FJ6K01010L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL P 12V WSMINI6-F1-B

MOSFET CANAL P 12V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de tran

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MTM761230LBF

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL P 20V WSMINI6-F1-B

MOSFET CANAL P 20V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-850mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transi

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FK6K02010L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 20V WSMINI6-F1-B

MOSFET CANAL N 20V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transi

200

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FK3906010L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 60V SSMINI3-F3-B0

MOSFET CANAL N 60V SSMINI3-F3-B0; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transistor:

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N/P 30V SSMINI6-F3-B

MOSFET CANAL N/P 30V SSMINI6-F3-B; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transis

2 125

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 30V SMINI3-F2-B

MOSFET CANAL N 30V SMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SMin

1 804

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FK3506010L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 60V SMINI3-F2-B

MOSFET CANAL N 60V SMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SM

1 562

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2284076
MTM232230LBF

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N 20V SMINI3-G1-B

MOSFET CANAL N 20V SMINI3-G1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor

1 468

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FC6546010R

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MOSFET CANAL N 60V SMINI6-F3-B

MOSFET CANAL N 60V SMINI6-F3-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transi

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FC8V33030L

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PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL N DOUBLE 33V WMINI8-F1

MOSFET CANAL N DOUBLE 33V WMINI8-F1; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de tr

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FL6L52010L

FL6L52010L

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL P SBD 20V WSSMINI6-F1

MOSFET CANAL P SBD 20V WSSMINI6-F1; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de tran

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MTM232270LBF

MTM232270LBF

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS

MOSFET CANAL P 20V SMINI3-G1-B

MOSFET CANAL P 20V SMINI3-G1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:

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