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2677177

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 300 A, 40 V, 0.00076 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET CANAL N 40V 300A DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00076ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:166W; Type de boîtier de transistor:

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2677178

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 235 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET CANAL N 40V 235A DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:235A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:128W; Type de boîtier de transistor:D

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2677181

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 102 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET CANAL N 40V 102A DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:102A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:DF

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2677176

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 378 A, 40 V, 0.00057 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET CANAL N 40V 378A DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:378A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:DF

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2677182

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 250 A, 60 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET CANAL N 60V 250A DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:250A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:DFN

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2677179

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 185 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.5 V

MOSFET CANAL N 40V 185A DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:185A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:D

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2677180

ON SEMICONDUCTOR - Transistor MOSFET, Canal N, 140 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V

MOSFET CANAL N 40V 140A DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:DFN;

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Bandes découpées

1+ 2,18 € 10+ 1,80 € 100+ 1,35 € 250+ 1,26 € 500+ 1,11 € 1000+ 0,83 € Plus de tarifs

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